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氮化硼陶瓷制品

独特工艺配方，优化组成结构，材料具备优异的抗热震、耐腐蚀、抗蠕变等性能。

关键词：

氮化硼陶瓷制品

所属分类：

氮化硼陶瓷制品

产品咨询：

0533-8180355

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    PENSC-E

    PENSC-L

    PENSC-S

    主要成分
    Main ingredients

     

    BN+ZrO2+SiC

     

    BN+ALN

     

    BN+Si3N4

    密度
    Density

    g/cm3

    2.3

    g/cm3

    2.85

    g/cm3

    2.7

    里氏硬度
    Hardness

    HL

    600

    HL

    650

    HL

    650

    抗弯强度
    Flexural Strength

    Mpa

    150

    Mpa

    250

    Mpa

    0

    热膨胀系数（25℃-1200℃）
    Coefficient of thermal expansion

    （10-6/K)

    2-3

    （10-6/K)

    4~6

    （10-6/K)

    2-3

    热导率（常温）
    Thermal conductivity at 20℃

    W/mk

    15

    W/mk

    70

    W/mk

    45

    最高使用温度MAX-Temperature of use

    空气
    oxidizing

    900℃

    空气
    oxidizing

    1950℃

    空气
    oxidizing

    1700℃

    真空
    vacuum

    1500℃

    真空
    vacuum

     

    真空
    vacuum

     

    惰性气氛
    inert

    1700℃

    惰性气氛
    inert

     

    惰性气氛
    inert

     

    常温电阻率
    RT Resistivity

    Ω.cm

    ＞1012

    Ω.cm

    ＞1014

    Ω.cm

    ＞1014

    　　产品特点及优势

    　　●独特工艺配方，优化组成结构，材料具备优异的抗热震、耐腐蚀、抗蠕变等性能。

    　　●采用真空热压烧结法，材料结构细腻，致密度高，具备优良的物理性能。

    　　●高温下与熔融金属不反应、不润湿、不沾污，广泛应用于各种熔融金属接触的应用中。

    　　典型应用

    　　●氮化硼水平连铸分离环

    　　●氮化硼薄带连铸侧封板

    　　●非晶、纳米晶制带氮化硼喷嘴

    　　●特种金属粉末喷嘴及导流管

    　　●鹏程特陶可根据客户需求定制各种氮化硼陶瓷产品及型材

氮化铝陶瓷

氮化铝陶瓷

氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的综合性能，是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷，在多方面都有广泛的应用前景。非常适用于半导体基片和结构封装材料。

氮化铝陶瓷

氮化铝陶瓷

氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的综合性能，是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷，在多方面都有广泛的应用前景。非常适用于半导体基片和结构封装材料。

氮化铝陶瓷

氮化铝陶瓷

氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的综合性能，是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷，在多方面都有广泛的应用前景。非常适用于半导体基片和结构封装材料。

氮化铝陶瓷

氮化铝陶瓷

氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的综合性能，是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷，在多方面都有广泛的应用前景。非常适用于半导体基片和结构封装材料。