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氮化铝陶瓷

氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的综合性能,是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷,在多方面都有广泛的应用前景。非常适用于半导体基片和结构封装材料。

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氮化铝陶瓷

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氮化铝陶瓷

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  • 产品描述
  • 氮化铝陶瓷介绍

    氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的综合性能,是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷,在多方面都有广泛的应用前景。非常适用于半导体基片和结构封装材料。在电子工业中的应用潜力非常巨大。另外氮化铝还耐高温,耐腐蚀,不为多种熔融金属和融盐所浸润。因此,可用作高级耐火材料和坩埚材料也可用作防腐蚀涂层,如腐蚀性物质的容器和处理器的里衬等,粉末还可作为添加剂加入各种金属或非金属中来改善这些材料的性能,高纯度的氮化铝陶瓷呈透明状,可用作电子光学器件,还具有优良的耐磨耗性能,可用作研磨材料和耐磨损零件。

    由于具有优良的热、电、力学性能,氮化铝陶瓷引起了国内外研究者的广泛关注。随着现代科学技术的飞速发展,对所用材料的性能提出了更高的要求。氮化铝陶瓷也必将在许多领域得到更为广泛的应用。

    产品主要技术指标

    品类Grade AlN-HT170AlN-S170

    化学组成AlN%

    Chemical structure

    %≥99.5≥99.5

    生产工艺

    Production Process

     

    Hot Pressing

    Atmosphere Sintering

    密度

    Density

    g/cm3

    ≥3.26g/cm3

    ≥3.3g/cm3

    热导(常温)

    Thermal conductivity at 20℃

    W/m.k

    ≥170

    ≥170

    表面粗糙度

     Surfaceness

    um

    ≤ 2

    ≤ 2

    里氏硬度

    Hardness

    HL

    800

    750

    抗弯强度

    Flexural Strength

    Mpa

    ≥350

    ≥350

    产品特点及优势

    ●热导率高

    ●膨胀系数可与半导体硅片相匹配

    ●具有高的绝缘电阻和耐电压强度

    ●介电常数低,介质耗损小

    ●机械强度高

    ●适用于流延成型工艺

    典型市场应用

    ●应用于化合物半导体单晶生长用坩埚

    ●高频声表面波器件用基片

    ●高纯氮化铝薄膜的射靶

    ●红外线和微波的窗口材料

氮化铝陶瓷

氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的综合性能,是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷,在多方面都有广泛的应用前景。非常适用于半导体基片和结构封装材料。

氮化铝陶瓷

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氮化铝陶瓷

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