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氮化硼陶瓷

采用国际先进的热压烧结工艺,不添加任何烧结助剂,材料纯度高、稳定性好, 材料致密度高,热膨胀系数低,导热性好,尤其适用于半导体、微电子等设备零件的用途,优异机械加工性能,可精密加工至0.02mm精度,是精密陶瓷部件的最优选择。

关键词:

氮化硼陶瓷

所属分类:

氮化硼陶瓷

产品咨询:

  • 产品描述
  • 品类Grade

    PENSC-B

    化学组成BN%
    Chemical structure

    %

    99

    其他成分
    Other components

     

    no

    密度Density

    g/cm3

    2.15

    里氏硬度
    Hardness

    HL

    450

    抗弯强度
    Flexural Strength

    Mpa

    95

    热膨胀系数(25℃-1200℃)
    Coefficient of thermal expansion

    (10-6/K)

    1~2

    热导率(常温)
    Thermal conductivity at 20℃

    W/mk

    35

    最高使用温度
    MAX-Temperature of use

    空气oxidizing

    900℃

    真空vacuum

    1600℃

    惰性气氛inert

    1800℃

    常温电阻率
    RT Resistivity

    Ω.cm

    >1014

    鹏程特种

      产品特点及优势

      ● 采用国际先进的热压烧结工艺,不添加任何烧结助剂,材料纯度高、稳定性好。

      ● 材料致密度高,热膨胀系数低,导热性好,尤其适用于半导体、微电子等设备零件的用途。

      ● 优异机械加工性能,可精密加工至0.02mm精度,是精密陶瓷部件的最优选择。

      典型应用

      ● 离子注入设备氮化硼备件

      ● 高温设备氮化硼绝缘垫片和密封件

      ● 真空镀膜设备氮化硼零部件(替代氧化铝)

      ● 粉末冶金雾化喷嘴

氮化铝陶瓷

氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的综合性能,是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷,在多方面都有广泛的应用前景。非常适用于半导体基片和结构封装材料。

氮化铝陶瓷

氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的综合性能,是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷,在多方面都有广泛的应用前景。非常适用于半导体基片和结构封装材料。

氮化铝陶瓷

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