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电子束蒸镀用氮化硼坩埚

独特工艺配方，优化组成结构，材料具备优异的耐腐蚀性，大大提高使用寿命,采用国际先进的真空热压烧结法，材料结构细腻，致密度高，具备优越的物理性能,化学性能稳定，高温下与熔融金属不反应、提高合金纯度,抗氧化性能好，比石墨材料提高400-500摄氏度，使用寿命长。

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电子束蒸镀用氮化硼坩埚

所属分类：

电子束蒸镀用氮化硼坩埚

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  • 产品描述

  • 典型特性

    The typical characteristics

    PENSC-T

    化学成分 
    Chemical composition

    BN+TiB2+AlN

    密度 
    Density

    g/cm3

    >3.01

    弹性模量 
    Modulus of elasticity

    Gpa

    60-70

    抗弯强度 ( 常温） 
    Flexural Strength

    Mpa

    >150

    热膨胀系数（1450℃） 
    Coefficient of thermal expansion

    （10-6/K)

    4-6

    热导率（常温） 
    Thermal conductivity at 20℃

    W/mk

    100/40

    最高使用温度 
    MAX-Temperature of use

    空气 
    oxidizing

    900℃

    真空 
    vacuum

    1700℃

    惰性气氛 
    inert

    2000℃

    常温电阻率 
    RT Resistivity

    Ω.cm

    300-2000

    		鹏程特陶

    产品特点及优势

    ●独特工艺配方，优化组成结构，材料具备优异的耐腐蚀性，大大提高使用寿命。

    ●采用国际先进的真空热压烧结法，材料结构细腻，致密度高，具备优越的物理性能。

    ● 化学性能稳定，高温下与熔融金属不反应、提高合金纯度。

    ● 抗氧化性能好，比石墨材料提高400-500摄氏度，使用寿命长。

    典型应用

    ●真空镀铝用导电陶瓷蒸发舟

    ●高温电子束蒸镀用导电陶瓷坩埚

    ●光学镀膜设备用坩埚及组件

氮化铝陶瓷

氮化铝陶瓷

氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的综合性能，是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷，在多方面都有广泛的应用前景。非常适用于半导体基片和结构封装材料。

氮化铝陶瓷

氮化铝陶瓷

氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的综合性能，是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷，在多方面都有广泛的应用前景。非常适用于半导体基片和结构封装材料。

氮化铝陶瓷

氮化铝陶瓷

氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的综合性能，是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷，在多方面都有广泛的应用前景。非常适用于半导体基片和结构封装材料。

氮化铝陶瓷

氮化铝陶瓷

氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的综合性能，是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷，在多方面都有广泛的应用前景。非常适用于半导体基片和结构封装材料。